leadam 写了: ↑26 12月 2019, 10:53
我使用的判断方式是:国内无论谁,如果有人能使得内存技术突破到到或者只要接近镁光内存的水平,这个人或团队,一定能获得国内科技最高奖,并且会大吹特吹,晋升院士也是小菜,但我查了下国内科技奖,并没有人因为内存技术获科技最高奖,也没相关的自研内存技术突破新闻。
你不会搜?就说没有。
集微网消据悉,在I/O速度方面,目前NAND闪存主要有两种I/O接口标准,分别是Intel/索尼/SK海力士/群联/西数/美光主推的ONFi,目前ONFi 4.1标准的I/O接口速度最大为1.2Gbps。第二种标准是三星/东芝主推的ToggleDDR,I/O速度最高1.4Gbps。
对此,汤强在本次论坛上表示,目前世界上最快的3DNAND的I/O速度目标值是1.4Gbps,大多数NAND供应商仅能供应1.0Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术,有望大幅提升NAND的I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。
另外,他还提到,Xtacking技术还可使得产品开发时间缩短三个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短3D NAND产品的从开发到上市周期。与此同时,Xtacking依然处于不断进化之中。
目前,Xtacking技术已经成功应用于即将量产的长江存储的第二代3D NAND产品(64层堆叠)。汤强还表示,今年8月推出新一代的Xtacking 2.0技术有望将长江存储的3D NAND提升到一个新的高度。Xtacking将是存储的未来。
在存储芯片领域常年被国际几大巨头垄断的背景下,我国从过去完全缺席存储芯片市场的困境,经历多年努力研发,陆续在3D NAND 和 DRAM 上打破国际垄断,而长江存储作为国内的领头企业,率先实现3D NAND的突破创新。
随着半导体产业的发展,产业界对存储器密度的要求越来越高,与此同时,三维存储器中叠层结构的数量也在不断提高,该结构中沟道通孔(CH)的深宽比也越来越高。然而这种存储器结构却也带来一些弊端与问题,由于沟道通孔宽度较小部分的存储单元相较于沟道通孔宽度较大部分的存储单元编程/擦除速度较快,因此导致了沟道通孔宽度较小的存储单元读干扰严重、擦除耦合效应差,各个存储单元的特性不一致、阈值电压分布宽等问题,从而影响了三维存储器的性能。
为解决以上现有技术的缺点,长江存储于2019年6月28日提出了一项名为“用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法”的发明专利(申请号:201910571659.5),申请人长江存储科技有限责任公司。